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中国空间站绝美凌日瞬间
2026-05-23
分类： 中方：所谓窃取知识产权是子虚乌有
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为何都盯上了氮化镓？_蜘蛛资讯网
须在纳秒级时间尺度上持续运行，且容错率极低。 这是一个极高的标准，但如果你想制造能够应对（并主动减少）电网噪声的电网兼容设备，这是必须的。
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; （附注：从长远来看，垂直氮化镓（GaN）的研发正在进行中。在垂直氮化镓中，电流流经材料内部，而不是像我们的横向高电子迁移率晶体管（HEMT）那样沿着表面流动。理论上，垂直氮化镓可以达到远高于1.2kV的电压，最终将使单个氮化镓器件能够直接阻断中压栅极电压。垂直氮化镓结构是一个活跃的研究领域，但它需要氮化镓衬底而不是硅衬底，而硅衬底成本高昂且难以大规模生长。这是一个材料和制造方面的问题
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发布时间：12:14:02
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